[发明专利]金属栅极结构、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711339828.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109326562B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种金属栅极结构以及包括实施金属栅极切割工艺的相关方法。金属栅极切割工艺包括多个蚀刻步骤。例如，实施第一各向异性干刻蚀，实施第二各向同性干刻蚀，并且实施第三湿刻蚀。在一些实施例中，第二各向同性蚀刻去除包括含金属层的金属栅极层的残留部分。在一些实施例中，第三蚀刻去除介电层的残留部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一鳍和第二鳍，所述第一鳍具有第一栅极区，以及所述第二鳍具有第二栅极区；在所述第一栅极区和所述第二栅极区上方形成金属栅极线，其中，所述金属栅极线从所述第一鳍延伸至所述第二鳍；以及实施线切割工艺以将所述金属栅极线分成第一金属栅极线和第二金属栅极线，其中，所述线切割工艺包括：实施第一蚀刻：在所述第一蚀刻之后，实施第二蚀刻；以及在所述第二蚀刻之后，实施第三蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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