[发明专利]一种基于跨导系数修正结构的混频器

摘要

本发明涉及一种基于跨导系数修正结构的混频器，包括依次电连接的跨导级电路、开关级电路和负载级电路，跨导级电路采用跨导系数修正结构和源简并电感结构；跨导级电路用于接入射频电压信号，并将射频电压信号转化为射频电流信号；开关级电路用于接入本振信号和射频电流信号，并根据本振信号控制开关级电路设置的多个开关管轮流导通，且利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号；负载级电路用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出。在本发明中跨导级电路采用跨导系数修正结构，在低功耗的基础上提高了混频器的线性度；同时采用源简并电感结构，进一步提高了电路的转换增益和线性度。

主权项

1.一种基于跨导系数修正结构的混频器，其特征在于：包括依次电连接的跨导级电路、开关级电路和负载级电路，其中，所述跨导级电路采用跨导系数修正结构和源简并电感结构；所述跨导级电路，其用于接入射频电压信号，并将射频电压信号转化为射频电流信号，且对射频电流信号进行反复使用；所述开关级电路，其用于接入本振信号和射频电流信号，并根据本振信号控制所述开关级电路设置的多个开关管轮流导通，且利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路；所述负载级电路，其用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出；所述跨导级电路包括晶体管M1～M7、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻Rb1和电阻Rb2；所述晶体管M1的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，所述晶体管M1的漏极与所述电感L1的一端连接，所述晶体管M1的源级接地，所述电感L1的另一端与所述晶体管M2的漏极连接；所述晶体管M3的栅极与所述晶体管M4的栅极连接，所述晶体管M3的漏极与所述晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M3的漏极还与所述开关级电路连接，所述晶体管M3的源级接地；所述晶体管M2的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，所述晶体管M2的源级接地；所述晶体管M4的漏极与所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M4的漏极还与所述开关级电路连接，所述晶体管M4的源级接地；所述电阻Rb2的一端连接直流偏置电压v2，所述电阻Rb2的另一端与所述晶体管M3的栅极连接；所述晶体管M5的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，所述晶体管M5的漏极与所述电容C1的一端连接，所述晶体管M5的源级接地，所述电容C1的另一端与所述晶体管M7的栅极连接；所述晶体管M6的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，所述晶体管M6的源级接地，所述晶体管M6的漏极与所述晶体管M5的漏极连接；所述电阻Rb1的一端与所述晶体管M7的栅极连接，所述电阻Rb1的另一端连接直流偏置电压V1；所述晶体管M7的源级接地，所述晶体管M7的漏极与所述电阻R2的一端连接，所述R2的另一端连接电压VDD；所述电阻R1的一端与所述晶体管M5的漏极连接，所述电阻R1的另一端连接电压VDD；所述电容C2的一端与所述晶体管M7的漏极连接，所述电容C2的另一端与所述晶体管M4的栅极连接。