[发明专利]一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法有效
| 申请号： | 201711340470.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108054121B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马鸣明;张伟光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，包括以下步骤：先对一半导体衬底进行隧穿氧化层生长工艺；再对进行了隧穿氧化层生长工艺的所述半导体衬底进行退火工艺：对反应腔加温，同时通入氢气和氧气，使反应腔内气压保持不变；退火反应一定时间；停止对所述反应腔加温，使反应腔内温度降低；关闭氢气，减少氧气通气量，并同时通入氮气，使反应腔内气压保持不变；等降温后，完成所述退火工艺。本发明对ISSG退火工艺的改进，通过对晶圆形变的技术分析理解，在找到其缺陷引发原因后，改变工艺流程及参数，解决硅片在高温制程过程中抖动的问题，运用此方法之后，硅片的良率能提高5％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化 生长 工艺 中晶圆 抖动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1对一半导体衬底进行隧穿氧化层生长工艺；S2对进行了隧穿氧化层生长工艺的所述半导体衬底进行退火工艺：对反应腔加温，同时通入氢气和氧气，使反应腔内气压保持不变；S3退火反应一定时间；S4停止对所述反应腔加温，使反应腔内温度降低；S5关闭氢气，减少氧气通气量，并同时通入氮气，使反应腔内气压保持不变；S6等降温后，完成所述退火工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711340470.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一步纺弹力复合丝及其制备方法
- 下一篇：一种化工厂移动吸风车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
