[发明专利]透明导电膜形成用靶材及其制造方法、透明导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201711341245.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108220893B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 秀岛正章 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种相对密度高、并能够抑制溅镀成膜时的电弧作用及颗粒的产生的透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。一种透明导电膜形成用靶材，含有In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比(Sn/Zn)为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn |
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| 搜索关键词： | 透明 导电 形成 用靶材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜形成用靶材，包含In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比即Sn/Zn为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn3In4O12结晶相相对于In2O3结晶相的峰强度比(Sn3In4O12/In2O3)为0.10以下，相对密度为97％以上。
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