[发明专利]鳍临界尺寸负载优化有效
| 申请号： | 201711341333.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427571B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 梁家铭;莫亦先;邱怀贤;张启新;黄仁安;李依叡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了具有优化的鳍临界尺寸负载的集成电路器件。示例性集成电路器件包括包含第一多鳍结构的核心区域和包含第二多鳍结构的输入/输出区域。第一多鳍结构具有第一宽度并且第二多鳍结构具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。在一些实施方式中，第一多鳍结构具有第一鳍间隔并且第二多鳍结构具有第二鳍间隔。第一鳍间隔小于第二鳍间隔。在一些实施方式中，第一多鳍结构的第一邻近鳍间距大于或等于三倍的最小鳍间距，并且第二多鳍结构的第二邻近鳍间距小于或等于两倍的最小鳍间距。本发明的实施例还涉及鳍临界尺寸负载优化。 | ||
| 搜索关键词： | 临界 尺寸 负载 优化 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：核心区域，包括第一多鳍结构；输入/输出区域，包括第二多鳍结构；以及其中，所述第一多鳍结构具有第一宽度，并且所述第二多鳍结构具有第二宽度，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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