[发明专利]一种永磁同步电机失磁故障等效磁路模型建立方法有效

专利信息
申请号: 201711341513.9 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN108090276B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 张志艳;金楠;王园弟;张曲遥;孔汉;秦鹏;郭熊;庞啸尘;师恩方 申请(专利权)人: 郑州轻工业学院
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张绍琳;谢萍
地址: 450002 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种永磁同步电机失磁故障等效磁路模型建立方法,步骤如下:S1,建立永磁同步电机的简化等效磁路模型;S2,计算简化等效磁路模型中的等效气隙长度和等效气隙面积;S3,计算简化等效磁路模型中的磁阻;S4,计算等效气隙磁通密度Bg;S5,将步骤S1的简化等效磁路模型作为失磁故障磁路模型,引入失磁比例,并计算失磁故障后永磁同步电机的气隙磁通密度B'g;S6,将步骤S5的计算结果与失磁故障模型的仿真结果进行比较,验证失磁故障磁路模型的准确性。本发明不需要进行实验仿真,仅建立永磁同步电机失磁故障后的等效磁路模型来分析气隙磁通密度,允许最大误差在5%范围内。
搜索关键词: 等效磁路模型 失磁故障 永磁同步电机 等效气隙 磁路模型 气隙磁通 仿真结果 实验仿真 最大误差 磁通 磁阻 失磁 验证 引入 分析
【主权项】:
1.一种永磁同步电机失磁故障等效磁路模型建立方法,其特征在于:步骤如下:S1,建立永磁同步电机的简化等效磁路模型;S2,计算简化等效磁路模型中的等效气隙长度和等效气隙面积;S3,计算简化等效磁路模型中的磁阻;S4,计算等效气隙磁通密度Bδ,公式为:Φr=BrAm=BrwM1Lef  (13);其中,Br为磁体的剩磁,wM1为充磁方向上磁体的宽度;Rmo为磁通源内磁阻;Rmb为相邻两个磁极之间的磁桥磁阻;R1ml为永磁体端部漏磁阻;R2ml为相邻两个永磁体之间的漏磁阻;Rδ为气隙磁阻;Φr为永磁体等效磁通源;S5,将步骤S1的简化等效磁路模型作为失磁故障磁路模型,引入失磁比例因子,并计算失磁故障后永磁同步电机的气隙磁通密度B'δ;S6.将步骤S5的计算结果与失磁故障模型的仿真结果进行比较,验证失磁故障磁路模型的准确性。
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