[发明专利]一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法

摘要

本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS₂电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。

主权项

1.一种钴掺杂二硫化钼原位电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：（1）在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液，金属钴盐与氯化钼的摩尔比为1: 9，氯化钼的浓度为100~700 mM，金属原子与硫脲的摩尔比为1：2~7；（2）将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；（3）将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经600℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极；所述的钴掺杂二硫化钼原位电极为10at%的钴均匀替代了钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼，化学式为Co_0.1Mo_0.9S₂，所述的钴为纳米颗粒状。