[发明专利]半导体芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711343927.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108133921A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 巴利生;林河北;凌浩;谭丽娟 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/492;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体芯片的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底制作芯片内部电路，其中所述芯片内部电路包括金属走线层；在所述芯片内部电路表面形成绝缘介质层；在所述绝缘层表面形成压焊金属层，所述压焊金属层包括多个压焊块，且至少部分压焊块与所述金属走线层相交叠。本发明还提供一种采用上述方法制作而成的半导体芯片。本发明提供的半导体芯片及其制作方法可以减小半导体芯片面积，降低半导体芯片制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 芯片内部电路 制作 金属走线层 金属层 压焊块 衬底 压焊 半导体 半导体芯片制作 绝缘层表面 绝缘介质层 表面形成 减小 相交 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底制作芯片内部电路，其中所述芯片内部电路包括金属走线层；在所述芯片内部电路表面形成绝缘介质层；在所述绝缘层表面形成压焊金属层，所述压焊金属层包括多个压焊块，且至少部分压焊块与所述金属走线层相交叠。
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