[发明专利]一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件有效
| 申请号： | 201711343954.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231898B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;李婷;魏家行;李智超;方炅;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 碳化硅 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)的一侧连接有漏极金属(10)，在N型衬底(1)的另一侧设有N型漂移区(2)，在N型漂移区(2)中对称设置一对P型基区(3)，在各P型基区(3)中分别设有P+型体接触区(4)和N+型源区(5)，在N型漂移区(2)的表面设有栅氧层(7)，在栅氧层(7)的表面设有多晶硅栅(8)，在多晶硅栅(8)上设有钝化层(6)且所述钝化层(6)包裹多晶硅栅(8)的两侧，在N型源区(5)和P型体接触区(6)连接有源极金属(9)，其特征在于：在各P型基区(3)体内分别设有由N‑型区(11)构成的阵列且所述阵列被P型基区(3)包裹在其内部，上表面与栅氧层(7)相分离，所述N‑型区(11)始于N+型源区(5)沿沟道方向水平延伸至N型漂移区(2)，在器件栅宽方向上N‑型区(11)与P型基区(3)间隔分布，且自然状态下N‑型区(11)在P型基区(3)的辅助耗尽下恰好完全夹断。
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