[发明专利]半导体芯片的压焊组件制作方法有效
| 申请号： | 201711345315.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108133922B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林河北;葛立志;覃事治;徐衡 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/492;H01L23/495 |
| 代理公司： | 44419 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体芯片的压焊组件制作方法，包括：在半导体衬底表面形成压焊快；在所述半导体衬底表面形成钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块，且其为包括多个钝化材料膜层的复合膜层；对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀，使得所述钝化层在所述压焊块所在位置形成倒梯形开口；通过所述倒梯形开口在所述压焊块表面形成金属加厚层。本发明提供的方案可以解决压焊块加厚的难题，提高工艺的可行性，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 压焊块 压焊 半导体衬底表面 半导体芯片 钝化材料 组件制作 倒梯形 膜层 开口 表面形成金属 复合膜层 工艺成本 加厚层 加厚的 刻蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的压焊组件制作方法，其特征在于，包括：/n在半导体衬底表面形成压焊块；/n在所述半导体衬底表面形成钝化层，所述钝化层覆盖所述压焊块，且其为包括多个钝化材料膜层的复合膜层；所述多个钝化材料膜层包括从上至下依次形成在所述半导体衬底表面的第一膜层、第二膜层和第三膜层；所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层分别为氮化硅层、多晶硅层和二氧化硅层；/n对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀，使得所述钝化层在所述压焊块所在位置形成正梯形开口；/n通过所述正梯形开口在所述压焊块表面形成金属加厚层；/n对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀的步骤包括：/n在所述氮化硅层表面涂覆第一光刻胶，并利用所述第一光刻胶对所述氮化硅层进行刻蚀，以在所述氮化硅层与所述压焊块相对应的区域形成第一开口；/n对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀的步骤还包括：/n在所述第一开口形成之后，通过所述第一开口对所述多晶硅层进行刻蚀，以在所述多晶硅层中形成第二开口，其中所述第二开口的开口宽度大于所述第一开口的开口宽度；/n对所述钝化层的多个钝化材料膜层依次进行刻蚀的步骤还包括：/n在所述第二开口形成之后，通过所述第一开口和所述第二开口对所述二氧化硅层进行刻蚀，以在所述二氧化硅形成第三开口，其中所述第三开口的开口宽度大于所述第二开口的开口宽度；/n所述氮化硅层采用各向同性或者各向异性方式进行刻蚀，而所述多晶硅层和所述二氧化硅层采用各向同性的方式进行刻蚀；所述正梯形开口包括所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口，且所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口的开口宽度均小于所述压焊块的宽度。/n
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