[发明专利]一种激光制造半导体封装器件的方法有效

专利信息
申请号: 201711345751.7 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108172522B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 王焕菊;褚宏深;王国庆;宋旭官;黄正信 申请(专利权)人: 丽智电子(昆山)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/48;B23K26/402
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215300 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种激光制造半导体封装器件的方法,结合激光技术,以陶瓷材料为基板封装半导体,精度高,制作复杂度交低,同时为封装器件提供端电极,可直接组配于电器模组,即节省空间,又提升电器模组组装的效率。
搜索关键词: 半导体封装器件 电器模组 激光制造 封装器件 基板封装 激光技术 节省空间 陶瓷材料 端电极 复杂度 组配 半导体 组装 制作
【主权项】:
1.一种激光制造半导体封装器件的方法,其特征在于:包括以下步骤,在陶瓷基板顶面上切沟,形成若干个组件单元,定义组件单元A侧与B侧相对;组件单元顶面涂导电膏,并延伸至组件单元A侧,形成下导电路径;下导电路径上设置半导体晶片,半导体晶片下电极与下导电路径连接;在陶瓷基板顶面封合一层胶体,并且所有半导体晶片埋入胶体;用激光打薄胶体,使各个半导体晶片上电极露出的面积至预设值;在露出的半导体晶片上电极上涂导电膏,并向外延伸至与所在组件单元B侧对齐,形成上导电路径;在打薄的胶体顶面设置保护层,并且上导电路径和半导体晶片上电极均埋入保护层;沿切沟裂片,A侧所在的侧面以及B侧所在的侧面上均设置导体层,两导体层分别与上导电路径和下导电路径连接,形成端电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丽智电子(昆山)有限公司,未经丽智电子(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711345751.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top