[发明专利]一种激光制造半导体封装器件的方法有效
申请号: | 201711345751.7 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108172522B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 王焕菊;褚宏深;王国庆;宋旭官;黄正信 | 申请(专利权)人: | 丽智电子(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;B23K26/402 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光制造半导体封装器件的方法,结合激光技术,以陶瓷材料为基板封装半导体,精度高,制作复杂度交低,同时为封装器件提供端电极,可直接组配于电器模组,即节省空间,又提升电器模组组装的效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体封装器件 电器模组 激光制造 封装器件 基板封装 激光技术 节省空间 陶瓷材料 端电极 复杂度 组配 半导体 组装 制作 | ||
【主权项】:
1.一种激光制造半导体封装器件的方法,其特征在于:包括以下步骤,在陶瓷基板顶面上切沟,形成若干个组件单元,定义组件单元A侧与B侧相对;组件单元顶面涂导电膏,并延伸至组件单元A侧,形成下导电路径;下导电路径上设置半导体晶片,半导体晶片下电极与下导电路径连接;在陶瓷基板顶面封合一层胶体,并且所有半导体晶片埋入胶体;用激光打薄胶体,使各个半导体晶片上电极露出的面积至预设值;在露出的半导体晶片上电极上涂导电膏,并向外延伸至与所在组件单元B侧对齐,形成上导电路径;在打薄的胶体顶面设置保护层,并且上导电路径和半导体晶片上电极均埋入保护层;沿切沟裂片,A侧所在的侧面以及B侧所在的侧面上均设置导体层,两导体层分别与上导电路径和下导电路径连接,形成端电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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