[发明专利]金属线蚀刻液组合物有效
| 申请号： | 201711347546.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108203830B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 具炳秀;朴民奎 | 申请（专利权）人： | 东进世美肯株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种金属线蚀刻液组合物，其特征在于，包括：氧化剂；胺类化合物；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。
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