[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711348110.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107919415B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管依次包括：N型导通层、发光层和P型导通层，所述N型导通层分布有Al点。本发明可以藉由外延生长气氛的控制，在N型传导层稳定形成富铝点的分布，整个外延LED结构的表面仍保持平整，一方面可以有效降低正向电压，另一方面提升了高电流密度下的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，依次包括：N型导通层、发光层和P型导通层，其特征在于：所述N型导通层分布有富Al点，其通过控制所述N型导通层的生长条件形成，具体如下：生长温度为900℃以上，V/III的比率为200以上，TMA/(TMG+TMA)气相比为10%以上。/n
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