[发明专利]N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本申请提供一种N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法，采用两次硼扩散，且第二次硼扩散的掺杂浓度大于第一次硼扩散的掺杂浓度，也即采用第一次轻扩，第二次重扩的方式形成硼扩散。由于采用第一次轻扩，结深较深，硼的掺杂浓度较低，欧姆接触不良，但能够降低扩散层复合，第二次重扩，结深较浅，硼的掺杂浓度较高，保证硅片表面与金属电极接触形成良好的欧姆接触。也即本发明提供的N型硅片硼扩散方法在降低扩散复合的情况下保证电池接触电阻Rs良好。

主权项

1.一种N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括：将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内，升温至第一温度；进行第一次沉积，在所述硅片表面形成第一硼扩散；升温至第二温度，并进行推结，所述第二温度高于所述第一温度；进行第二次沉积，在所述硅片表面形成第二硼扩散；退火降温，并将所述硅片从所述扩散炉管内取出；其中，所述硅片表面上，所述第二硼扩散的掺杂浓度大于所述第一硼扩散的掺杂浓度，且所述第二硼扩散的深度小于所述第一硼扩散的深度。