[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板

摘要

本发明涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：Si衬底(101)；SCR管(102)，设置于Si衬底(101)内，包括：N+接触区(1021)、阳极(1022)、P+接触区(1023)和阴极(1024)；隔离区(103)，设置于Si衬底(101)内且上下贯通Si衬底(101)，用于在SCR管(102)外的水平方向形成SCR管(102)的封闭区域；第一绝缘层(104)，设置于Si衬底(101)的上表面；第二绝缘层(105)，设置于Si衬底(101)的下表面；第一TSV区(106)和第二TSV区(107)，设置于Si衬底(101)内且位于封闭区域的两侧，第一TSV区(106)和第二TSV区(107)内填充材料为铜。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上加工ESD防护器件SCR管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

主权项

一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；SCR管(102)，设置于所述Si衬底(101)内，包括：N+接触区(1021)、阳极(1022)、P+接触区(1023)和阴极(1024)；隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内且上下贯通所述Si衬底(101)，用于在所述SCR管(102)外的水平方向形成所述SCR管(102)的封闭区域；第一绝缘层(104)，设置于所述Si衬底(101)的上表面；第二绝缘层(105)，设置于所述Si衬底(101)的下表面；第一TSV区(106)和第二TSV区(107)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述封闭区域的两侧，所述第一TSV区(106)和所述第二TSV区(107)内填充材料为铜；第一互连线(108)和第二互连线(109)，所述第一互连线(108)设置于所述第一绝缘层(104)内，所述第二互连线(109)设置于所述第二绝缘层(105)内；所述第一互连线(108)用于连接所述第一TSV区(106)的第一端面、所述N+接触区(1021)和所述阳极(1022)；所述第二互连线(109)用于连接所述第二TSV区(107)的第一端面、所述P+接触区(1023)和所述阴极(1024)。