[发明专利]系统级封装抗静电转接板有效
| 申请号： | 201711348917.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109957B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/538 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种系统级封装抗静电转接板100，其特征在于，包括：硅基衬底101、N个TSV孔102、N个二极管103、隔离沟槽104、金属互连线105、凸点106及钝化层107，其中，N为大于或等于1的任意自然数；所述N个TSV孔102与所述N个二极管103沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中；所述隔离沟槽104分别设置于所述N个二极管103四周；所述金属互连线105设置于所述N个TSV孔102与所述N个二极管103表面以使所述N个TSV孔102与所述N个二极管103形成串行连接；所述凸点106设置于第一TSV孔102与第N二极管103下表面；所述钝化层107设置于所述硅基衬底101上下表面。本发明提供的系统级封装抗静电转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 封装 抗静电 转接 | ||
【主权项】：
1.一种系统级封装抗静电转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、N个TSV孔(102)、N个二极管(103)、隔离沟槽(104)、金属互连线(105)、凸点(106)及钝化层(107)，其中，N为大于或等于1的任意自然数；所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中；所述隔离沟槽(104)分别设置于所述N个二极管(103)四周；所述金属互连线(105)设置于所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)表面以使所述N个TSV孔(102)与所述N个二极管(103)形成串行连接；所述凸点(106)设置于第一TSV孔(102)与第N二极管(103)下表面；所述钝化层(107)设置于所述硅基衬底(101)上下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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