[发明专利]一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器有效
| 申请号： | 201711349753.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108051889B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 肖金标;倪斌 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄欣 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，该检偏器由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、检偏部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，检偏部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖；所述检偏部件包括输入波导、过渡波导A、直通波导、过渡波导B，输出波导和右路直通波导。本发明提供的槽式波导TE模检偏器具有低插入损耗、高消光比、大制造容差以及大工作带宽的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 等离子 效应 辅助 波导 te 模检偏器 | ||
【主权项】：
1.一种混合等离子效应辅助的槽式波导TE模检偏器，其特征在于：该检偏器由下至上依次为硅基衬底（7）、掩埋氧化层（8）、检偏部件（14）和上包层（9），其中掩埋氧化层（8）生长于硅基衬底（7）的上表面，上包层（9）覆盖掩埋氧化层（8）的上表面，检偏部件（14）水平生长于掩埋氧化层（8）的上表面，并被上包层（9）覆盖；所述检偏部件（14）包括输入光信号的输入波导（1）、过渡波导A（2）、直通波导（3）、过渡波导B（4）、输出波导（5）和右路直通波导（6）；过渡波导A（2）连接输入波导（1）与直通波导（3）的一端；直通波导（3）的另一端连接过渡波导B（4）；过渡波导B（4）连接输出波导（5）；右路直通波导（6）与直通波导（3）长度相同且对齐摆放；直通波导（3）为非对称硅基槽式波导；输入波导（1）和输出波导（5）为对称硅基槽式波导；过渡波导A（2）和过渡波导B（4）为宽度渐变型硅基槽式波导，右路直通波导（6）为混合等离子波导。
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