[发明专利]一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件

摘要

本发明公开一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中，形成混合溶液；在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应，得到含n型ZnO的溶液；将含n型ZnO的溶液制成薄膜，得到所述n型ZnO薄膜。本发明通过简单的溶胶‑凝胶法，制备得到一种n型ZnO纳米材料（Mg‑In/ZnO），其制成薄膜作为电子传输层，实现ZnO的禁带宽度由本征的3.40 eV到4.20 eV连续可调，通过对e‑的注入QDs能力影响，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高QLED器件性能。另外，本发明制备n型ZnO纳米材料的方法十分简单，适合大面积、大规模制备。

主权项

1.一种n型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中，形成混合溶液；在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应，得到含n型ZnO的溶液；将含n型ZnO的溶液制成薄膜，得到所述n型ZnO薄膜。