[发明专利]一种QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711349852.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935706A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;李龙基 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其中，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。本发明所制备的反型QLED器件，通过在HTL层和QD层之间设置一界面层，该界面层可以防止在全溶液法制备反型QLED器件的HTL或HIL的过程中对QD层造成的溶解冲刷影响，从而提高了器件的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 界面层 量子点 制备 阳极 发光层 反型 阴极 溶液法制备 层叠设置 冲刷 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其特征在于，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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