[发明专利]空穴传输材料、QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711351046.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935732B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种空穴传输材料、QLED器件及其制备方法。该空穴传输材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的石墨炔。该QLED器件的空穴传输层的材料含有上述空穴传输材料。通过在空穴传输层中加入具有高空穴迁移率的石墨炔，凭借掺杂石墨炔优异的空穴迁移能力，可以显著提高QLED中空穴传输层的空穴分离能力和空穴迁移能力、调节膜层材料的功函数，提高器件的空穴传输效率，达到提升器件的传输、发光效率、提高器件寿命的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 传输 材料 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种空穴传输材料，其特征在于，包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的石墨炔。
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