[发明专利]TFT阵列基板全接触式测试线路有效

申请号：	201711351770.0	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN108122804B	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	陈彩琴	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L27/12
代理公司：	44265 深圳市德力知识产权代理事务所	代理人：	林才桂<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	430070 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：	本发明提供一种TFT阵列基板全接触式测试线路，将测试芯片(5)设于面板切割界线(7)之外，允许测试芯片(5)上的各测试端子(51)的尺寸以及相邻测试端子(51)之间的距离加大，能够提高测试设备接触测试端子(51)的成功率；测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，且连接测试端子(51)与驱动芯片(3)上驱动端子(31)的走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成，能够防止面板切割后发生线路腐蚀与静电放电的风险；由于测试芯片(5)在面板切割时被切割掉，测试端子(51)上无需覆盖绝缘的有机层，从而允许在制作出TFT阵列基板内TFT的源/漏极后及在TFT阵列基板全部制作完成的情况下都可以进行测试。
搜索关键词：	测试芯片面板切割测试端子测试线路全接触切割测试设备接触测试静电放电距离加大连接测试驱动端子驱动芯片源/漏极有机层同层源层走线绝缘制作成功率半导体界线腐蚀测试覆盖
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【主权项】：

1.一种TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，包括多条数据线(1)、设于所述多条数据线(1)的扇出区(11)之外的驱动芯片(3)及设于所述驱动芯片(3)远离所述扇出区(11)一侧的测试芯片(5)，并且所述驱动芯片(3)位于面板切割界线(7)之内，而所述测试芯片(5)位于面板切割界线(7)之外；/n所述驱动芯片(3)包括多个驱动端子(31)，一驱动端子(31)对应电性连接一数据线(1)；所述测试芯片(5)包括多个测试端子(51)，一测试端子(51)至少通过一走线(35)电性连接一驱动端子(31)；/n所述驱动端子(31)与测试端子(51)均由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)及与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属(M)制作而成，所述走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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