[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法在审
| 申请号： | 201711352302.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108321146A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李妤晨 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板及其制备方法，该制备方法包括：(a)选取硅基衬底；(b)在所述硅基衬底中第一指定区域与第二指定区域分别制作TSV孔与隔离沟槽；(c)分别对所述隔离沟槽与所述TSV孔进行填充；(d)在所述硅基衬底中第三指定区域制作BJT；(e)去除所述硅基衬底底部部分材料，以在所述硅基衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；(f)在所述TSV孔与所述BJT表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接。本发明提供的基于BJT的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工BJT作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基衬 隔离沟槽 抗静电 转接板 制备 集成电路 制作 金属互连线 抗静电能力 层叠封装 去除 填充 芯片 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取硅基衬底；(b)在所述硅基衬底中第一指定区域与第二指定区域分别制作TSV孔与隔离沟槽；(c)分别对所述隔离沟槽与所述TSV孔进行填充；(d)在所述硅基衬底中第三指定区域制作BJT；(e)去除所述硅基衬底底部部分材料，以在所述硅基衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述BJT；(f)在所述TSV孔与所述BJT表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述BJT相连接。
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