[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711352376.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935630B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;宋晰;顾庆钊;吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 余剑琴 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、半导体层、介质层、源极、栅极和漏极。其中，所述栅极在靠近所述半导体层的一侧具有第一弧形面。所述介质层上开设有与所述栅极对应的栅槽，所述栅极的材料填充于该栅槽，所述栅槽与所述栅极接触的侧面的至少一部分为第二弧形面，该第二弧形面从介质层远离半导体层的表面往半导体层方向延伸。本发明实施例中通过这样半导体器件结构，可以使得半导体器件的电势梯度变得更加平缓。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；制作于所述衬底一侧的半导体层；制作于所述半导体层远离所述衬底一侧的源极、漏极，以及位于源极和漏极之间的栅极，其中，所述栅极在靠近所述漏极一侧靠近所述半导体层的侧面至少一部分具有第一弧形面。
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