[发明专利]具有高台阶结构的硅片表面光刻方法有效
| 申请号： | 201711352487.X | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108107683B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋丽;杨涛 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，该光刻方法包括以下步骤：S1、提供硅片、光刻胶以及溶剂，硅片的表面具有台阶结构，台阶结构包括台阶顶部、台阶底部、衔接台阶顶部和台阶底部的台阶侧壁以及尖角；S2、将硅片置于烘箱中进行HMDS涂布；S3、将涂布后的硅片放在喷涂机台上，将光刻胶和溶剂以一定比例配制混合均匀，通过喷涂机台以喷涂的方式在硅片上进行光刻胶涂布；S4、将光刻胶涂布后的硅片放在双面曝光机上，根据涂胶膜的厚度调整曝光系数，在台阶顶部和台阶底部同时进行曝光处理，最后通过显影在台阶顶部和台阶底部形成光刻图形。该光刻方法能够实现在具有高台阶的结构硅片的台阶底部和台阶顶部同时实现高分辨率的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 结构 硅片 表面 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供硅片、光刻胶以及溶剂，所述硅片的表面具有台阶结构，所述台阶结构包括台阶顶部、台阶底部、衔接所述台阶顶部和台阶底部的台阶侧壁以及尖角；S2、将所述硅片置于烘箱中进行HMDS涂布；S3、将HMDS涂布后的硅片放在喷涂机台上，再将所述光刻胶和溶剂以一定比例配制混合均匀，然后通过所述喷涂机台以喷涂的方式在硅片上进行光刻胶涂布；S4、将光刻胶涂布后的硅片放在双面曝光机上，根据涂胶膜的厚度调整曝光系数，在所述台阶顶部和台阶底部同时进行曝光处理，最后通过显影在所述台阶顶部和台阶底部形成光刻图形。
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