[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板及其制备方法有效
| 申请号： | 201711352490.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109960B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板及其制备方法，该方法包括：选取衬底材料；刻蚀所述衬底材料形成多个TSV和多个隔离沟槽；填充所述隔离沟槽和所述TSV分别形成隔离区和TSV区；在所述隔离区之间的所述衬底材料内制备器件沟槽和三极管的埋层；在所述器件沟槽内制备三极管的集电极接触区、基区接触区和发射区；在所述衬底材料上表面制备所述TSV区的第一端面与所述三极管的互连线；在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述硅通孔转接板的制备。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 系统 封装 硅通孔 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取衬底材料；S102、刻蚀所述衬底材料形成TSV和隔离沟槽；S103、填充所述隔离沟槽和所述TSV分别形成隔离区和TSV区；S104、在所述隔离区之间的所述衬底材料内制备器件沟槽和三极管的埋层；S105、在所述器件沟槽内制备三极管的集电极接触区、基区接触区和发射区；S106、在所述衬底材料上表面制备所述TSV区的第一端面与所述三极管的互连线；S107、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述硅通孔转接板的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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