[发明专利]一种高纯氮氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201711352598.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107986795A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;季勇升;杨德仁;张亚光;杜英;陆介平 | 申请（专利权）人： | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/597 | 分类号： | C04B35/597;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 徐冬涛,李晓峰 |
| 地址： | 212218 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高纯氮氧化硅的制备方法，包括以下步骤(1)将硅粉进行加湿处理；(2)在氮氧气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料进行两步高温煅烧，待反应完全后得到氮氧化硅；所述两步高温煅烧的过程为第一步1000‑1300℃，5‑15h，第二步1300‑1500℃，10‑30h。本发明通过在硅粉内部引入水分子，水分子在高温下分解产生的氢气，其不仅可以还原硅表面氧化硅，缩短反应孕育期，而且可以一直抑制二氧化硅的生成，使得反应朝氮氧化硅方向进行，从而得到高纯氮氧化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯氮氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅粉进行加湿处理；(2)在氮氧气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料进行两步高温煅烧，待反应完全后得到氮氧化硅；所述两步高温煅烧的过程为：第一步1000‑1300℃，5‑15h，第二步1300‑1500℃，10‑30h。
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