[发明专利]一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法有效
申请号: | 201711352850.8 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108054122B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 张全飞 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法,应用在离子注入工艺中,包括以下步骤:获取问题晶圆当前的离子注入量与第二检测值之间的比值;提供一测试晶圆,根据比值于测试晶圆上注入离子形成一与问题晶圆等效的测试晶圆;终止对测试晶圆的注入,离子注入设备根据对测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录;离子注入设备根据新的晶圆注入记录对问题晶圆执行离子注入,最终使问题晶圆完成离子完全注入。其技术方案的有益效果在于,克服了现有技术中当离子注入设备出现异常故障(比如系统软件坏死),离子设备无法获得关于问题晶圆的注入记录即获得问题晶圆补救方法的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 丢失 离子 注入 记录 补救 方法 | ||
【主权项】:
1.一种丢失离子注入晶圆记录后的补救方法,应用在离子注入工艺中,其特征在于,提供一离子注入设备;提供一标准晶圆,所述标准晶圆表示所述离子注入设备进行离子注入时完全注入的晶圆,获取表示所述标准晶圆中的晶格损伤程度的第一检测值;提供一问题晶圆,所述问题晶圆表示所述离子注入设备在进行离子注入时出现故障未完全注入的晶圆,获取表示所述问题晶圆中的晶格损伤程度的第二检测值;包括以下步骤:步骤S1、获取所述问题晶圆当前的离子注入量与所述第二检测值之间的比值;步骤S2、提供一测试晶圆,根据所述比值于所述测试晶圆上注入离子形成一与所述问题晶圆等效的所述测试晶圆;步骤S3、终止对所述测试晶圆的注入,所述离子注入设备根据对所述测试晶圆的离子注入过程形成一新的晶圆注入记录;步骤S4、所述离子注入设备根据所述新的晶圆注入记录对所述问题晶圆执行离子注入,最终使所述问题晶圆完成离子完全注入。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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