[发明专利]一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201711352998.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108566735B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林锦新;林智杰;黄婷婷;赵超前 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12;H05K1/09;H01L21/02;G01D5/16 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;谢怡婷 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列铜氧化物半导体传感器及其制备方法，该方法是采用无颗粒铜墨水在基底上进行导电层图案印制，经热处理后，在导电层上再打印特定图案的供铜氧化物生长的图案，再经热处理，在供铜氧化物生长的图案上实现金属氧化物纤维阵列的生长，即半导体层图案的印制。该方法无需掩膜版，可在柔性基材和非平面复杂基材表面进行图案印制，通过控制热处理条件可以调控氧化铜和氧化亚铜的比例，以及金属氧化物纤维阵列中纤维的尺寸和密度，同时生成的铜氧化物与金属铜(供铜氧化物生长的导电层图案)之间界面结合良好，在可穿戴设备和柔性电子等方面具有重大优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 氧化物 半导体 传感器 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种阵列铜氧化物半导体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：使用无颗粒铜墨水，将其按照预定图案印制到基材上；步骤2：在空气或惰性气氛中进行热处理，在基材上得到铜金属图案；步骤3：使用无颗粒铜墨水，将其按照预定图案印制到步骤2的铜金属图案上；步骤4；将步骤3中的无颗粒墨水图案在预设氧分压的气氛下进行热处理，在铜金属图案表面，形成铜氧化物纳米纤维阵列，得到阵列铜氧化物半导体传感器。
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