[发明专利]CIGS薄膜太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201711353190.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108321075A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 曲铭浩;汝小宁;王溢欢;胡超;舒毅;胡鹏臣;许永元 | 申请（专利权）人： | 米亚索乐装备集成（福建）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;尚世浩 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CIGS薄膜太阳能电池的制备方法，包括：将形成阻挡层的衬底放入溅射腔，在所述阻挡层上溅射形成掺杂层，所述掺杂层为钠掺杂钼层；在溅射形成所述掺杂层时，检测钠离子含量，并根据所述钠离子含量向所述溅射腔通入水蒸气。本发明的CIGS薄膜太阳能电池的制备方法，根据钠离子的含量向溅射腔内通入水蒸气，水蒸气能够保证钠离子溅射后的稳定，并且水蒸气的含量是根据钠离子含量进行调节的，保证了溅射的效率，使掺杂层中钠的含量保持在合理的水平，进而使生产的CIGS薄膜太阳能电池效率高，可靠性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 钠离子 水蒸气 掺杂层 溅射 溅射腔 制备 阻挡层 钠掺杂 衬底 放入 钼层 保证 检测 生产 | ||
【主权项】：
1.一种CIGS薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：将形成阻挡层的衬底放入溅射腔，在所述阻挡层上溅射形成掺杂层，所述掺杂层为钠掺杂钼层；在溅射形成所述掺杂层时，检测钠离子含量，并根据所述钠离子含量向所述溅射腔通入水蒸气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
