[发明专利]一种QLED器件的后处理方法有效
| 申请号： | 201711353907.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935738B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件的后处理方法，包括以下步骤：提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光二极管，所述量子点发光二极管被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行加热处理后，对所述QLED器件进行抽真空处理。本发明通过加热和抽真空的制备步骤，可以在实现器件有益效果之后充分去除残留的活性成分，保证器件后续不受到活性成分的持续影响，从而在实现高效率的同时也保障了器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光部件，所述量子点发光部件被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行加热处理后，对所述QLED器件进行抽真空处理。
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