[发明专利]一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 201711354238.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108118395A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张跃;杜君莉;张铮;张先坤;柳柏杉;刘硕;张书浩;李瑞山 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法，该方法包括：以钨的氧化物粉末、卤化盐、硒粉为原料，惰性气体为载气，将原料蒸发成气态并输送到基片上沉积生长二硒化钨薄膜。通过控制原料配比、生长温度、生长时间、载气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明，可以在无氢环境下，在600‑800摄氏度下生长50um以上，层数可控的二硒化钨薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 二硒化钨 薄膜 生长 化学气相沉积 单晶薄膜 制备 氧化物粉末 惰性气体 无氢环境 原料配比 载气流量 可控的 卤化盐 硒粉 载气 沉积 蒸发 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法，其特征在于：该方法以钨的氧化物粉末、卤化盐、硒粉为原料，惰性气体为载气，采用化学气相沉积法，双温区加热生长，实现无氢催化、常压生长结晶质量高的硒化钨薄膜。
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