[发明专利]基于柔性衬底底栅结构的MoS2 有效
| 申请号： | 201711358320.4 | 申请日： | 2017-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN108091699B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曾祥斌;曾洋;吴少雄;王文照;胡一说;周广通;任婷婷;郭振宇;靳雯 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS |
||
| 搜索关键词： | 基于 柔性 衬底 结构 mos base sub | ||
【主权项】：
1.一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2 TFT器件，其特征在于，包括：自下而上依次设置的柔性衬底、底栅金属薄膜、氧化铝薄膜、反应源薄膜以及源漏电极；所述反应源薄膜生成二硫化钼薄膜，所述源漏电极与所述二硫化钼薄膜的表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711358320.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
