[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘材料层上形成多晶硅材料层；在多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层；对多晶硅材料层进行沟道掺杂；形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层；在有源层及栅极绝缘层上形成源漏极层，有源层与源漏极层电性连接；及在源漏极层上形成通孔，进而形成源极及漏极，通孔对应有源层设置，源极及漏极均与有源层电性连接。本发明还提供一种阵列基板。由于所述阵列基板为底栅结构，其减小了现有技术中顶栅结构中，由于有源层引起的表面不平整带来的界面电阻不均的现象，提高了阵列基板的电学性能的稳定性。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成栅极层；在所述栅极层上形成栅极绝缘材料层，所述栅极绝缘材料层覆盖所述栅极层及所述基底；在所述栅极绝缘材料层上形成多晶硅材料层；在所述多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层；对所述多晶硅材料层进行沟道掺杂；蚀刻所述多晶硅材料层、所述刻蚀阻挡材料层及所述栅极绝缘材料层，进而形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底，所述有源层形成于所述栅极层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层；在所述有源层及所述栅极绝缘层上形成源漏极层，所述有源层与所述源漏极层电性连接；及在所述源漏极层上形成通孔，进而形成源极及漏极，所述通孔对应有源层设置，所述源极及所述漏极均与有源层电性连接。