[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 201711362575.8 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108269852B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 具亨埈 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置，其中利用包括Sn类氧化物的有源层实现P型半导体特性。该薄膜晶体管包括：包括Sn(II)O类氧化物的有源层；与有源层的一个表面接触的金属氧化物层；与有源层重叠的栅电极；设置在栅电极与有源层之间的栅绝缘膜；与有源层的第一侧面接触的源电极；以及与有源层的第二侧面接触的漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，所述有源层包括Sn(II)O类氧化物；金属氧化物层，所述金属氧化物层与所述有源层的一个表面接触；栅电极，所述栅电极与所述有源层重叠；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜设置在所述栅电极与所述有源层之间；源电极，所述源电极与所述有源层的第一侧面接触；以及漏电极，所述漏电极与所述有源层的第二侧面接触。
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