[发明专利]具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造有效
| 申请号： | 201711365233.1 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107964647B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣伟;维韦卡·阿格拉沃尔;纳格·B·帕蒂班德拉;奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/56;C23C16/34;C23C28/04;C30B23/02;C30B25/08;C30B29/40;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管(LED)结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积(PVD)腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 物理 沉积 形成 氮化 缓冲 发光二极管 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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