[发明专利]具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统有效
| 申请号： | 201711368165.4 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108122598B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张战刚;雷志锋;李沙金;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘艳丽 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统，通过获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率；获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系；根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述目标软错误率。在本方案中，可以根据所述SRAM器件的原始软错误率以及目标软错误率与所述原始软错误率之间的关系，获得具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率，可以提高具备EDAC功能SRAM器件空间软错误率预计结果的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 edac 功能 sram 错误率 预计 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，包括以下步骤：获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率，所述原始软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在关闭EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系，所述目标软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在开启EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述具备EDAC功能SRAM器件目标软错误率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所，未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711368165.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
