[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构在审
| 申请号： | 201711368190.2 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109930198A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮;赵向阳;陈强;孙瑞;何昆哲 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性。本发明可有效提高工艺效率，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 双层屏 热屏 单晶硅生长炉 下层 上层 熔体 坩埚 半导体制造领域 纵向温度梯度 单晶硅 质量均匀性 保温材料 工艺效率 硅片径向 角度倾斜 熔体提拉 包覆 底面 拉速 轴向 相交 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。
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