[发明专利]一种采用专用清洗液的硅片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种采用专用清洗液的硅片的清洗方法，包括采用配置专用清洗液、浸泡、酸洗，碱洗，漂洗、超声波、去离子水以及纯水的清洗步骤，可有效去除由线切割单晶硅而产生的表面油脂及硅片内部金属杂质和粘附在硅片表面的尘埃和其它颗粒，清洗效果非常好。

主权项

1.一种采用专用清洗液的硅片的清洗方法，包括以下步骤：1)将硅片放入清水中进行浸泡10分钟，温度为40摄氏度，并同时结合超声波振荡进行粗洗，去除明显的杂质；2)将硅片用成分比为H2SO4:H2O2＝4:1的酸性液清洗，去除和分解有机物；3)超纯水冲洗2分钟，同时利用高频电场改变水的分子结构，增强冲洗效果；4)用成分比为H2O:H2O2:NH4OH＝8:2:1的碱性清洗液清洗；5)将硅片放入纯水中反复喷淋冲洗6‑9分钟，温度为45‑60摄氏度，6)配置清洗液备用，所述清洗液包括以下重量份的成分：将上述重量份的成分进行混合，加入100重量份的去离子水中进行搅拌，即成；7)采用所述步骤6所述的清洗剂进行清洗，温度为55‑60摄氏度，同时配合超声波振荡，清洗时间为9‑18分钟；8)去离子水进行漂洗3分钟，溢流，温度为40摄氏度；9)无尘风干。