[发明专利]一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711373158.3 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108054182A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王子昊;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/70;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法，其中制备方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组件；在所述键合区表面形成键合凸台；将所述第一组件设置在所述键合区上，所述半导体功能层与所述键合凸台相键合，所述半导体功能层靠近所述光波导区的侧壁与所述光波导结构的端面耦合。该方法能够避免半导体功能层与光波导结构精准对位的问题(即在垂直以及水平方向上无源对准)；此外，提高了半导体器件的集成度和化合物半导体光电器件与硅基光波导的耦合精度，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 混合 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体硅基混合器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组件；在所述键合区表面形成键合凸台；将所述第一组件设置在所述键合区上，所述半导体功能层与所述键合凸台相键合，所述半导体功能层靠近所述光波导区的侧壁与所述光波导结构的端面耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
