[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711373914.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108011291A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;颜建 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器及其制备方法，其中，该半导体激光器包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：衬底；并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矩阵光电有限公司，未经苏州矩阵光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711373914.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种啤酒专用粳稻恢复系的选育方法
- 下一篇：滑柱铝合金弹簧下托盘结构
