[发明专利]一种使用低压脉冲的MRAM读出电路

摘要

本发明公开了一种使用低压脉冲的MRAM读出电路，包括排列成一排并联的多个等同的MOS管、参考单元组合和比较器；所述多个MOS管中有k个MOS管并联后与所述参考单元组合的k个参考单元串联，所述多个MOS管中其余的每一个MOS管Pax与一个被读存储单元串联，所述比较器位于所述Ax和B两点之间，通过两点之间的电压差来决定所述存储单元是在P状态还是AP状态。本发明采用低压脉冲进行读操作，有效地了降低MRAM读出电路的读功耗。

主权项

一种使用低压脉冲的MRAM读出电路，包括排列成一排并联的多个等同的MOS管、参考单元组合、比较器和开关控制电路，其特征在于，所述参考单元组合由k个参考单元并联，所述k个参考单元中有一部分被配置为P状态，其余的被配置成AP状态；所述多个等同的MOS管中有k个MOS管Pb1、Pb2…Pbk并联，然后与所述k个参考单元串联，串联连接点为B；所述多个等同的MOS管中其余的每一个MOS管Pax(x＝1、2、…)与一个被读存储单元x(x＝1、2、…)串联，串联连接点为Ax(x＝1、2、…)；所述比较器位于所述Ax和B两点之间，通过所述两点之间的电压差来决定所述存储单元x是在P状态还是AP状态；所述参考单元组合和所述存储单元的一端连接一个基准电压V_b；所述开关控制电路用于控制所述多个等同的MOS管的通断；在进行读操作时，所述开关控制电路，所述开关控制电路把多个等同的MOS管栅极电压接通到指定的电压标准，所述多个等同的MOS管的一端增加一电压V_read，所述多个等同MOS管接通，相当于一个电阻。