[发明专利]硅片减薄方法及薄硅片

摘要

本发明涉及一种硅片减薄方法及薄硅片，该减薄方法包括以下步骤：S1、提供两个未加工硅片，定义为第一硅片和第二硅片；S2、先将第一硅片的上表面进行深硅刻蚀，再将第一硅片和第二硅片进行热氧处理；S3、将热氧处理后的第一硅片与第二硅片键合，得到键合硅片；S4、将键合硅片中的第二硅片进行减薄处理，再在其上表面进行顶硅刻蚀；S5、将刻蚀后的键合硅片中的第一硅片的下表面进行减薄去硅处理，最后除去氧化层，得到薄硅片。本发明的硅片减薄方法将深硅刻蚀放到第一步，并采用多次深硅刻蚀和键合工艺，最后制备得到翘曲度小的薄硅片，该减薄方法实现自动化操作，工艺稳定，适合大规模量产，且制备得到的薄硅片导热性较好，硅片翘曲能很好的控制。

主权项

1.一种硅片减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供两个未加工硅片，所述未加工硅片具有相对的上表面和下表面，分别定义为第一硅片和第二硅片；S2、先将所述第一硅片的上表面进行深硅刻蚀，再将所述第一硅片和第二硅片进行热氧处理；S3、将步骤S2中热氧处理后的第一硅片的上表面与所述第二硅片的下表面键合，得到键合硅片；S4、将所述键合硅片中的第二硅片进行减薄处理，再在其上表面进行顶硅刻蚀；S5、将步骤S4中刻蚀后的键合硅片中的第一硅片的下表面进行减薄去硅处理，最后除去氧化层，得到薄硅片。