[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711377169.9 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109935548B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王潇;孔云龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区以及切割道区；在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构，所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。本发明方案有助于避免引线落在接地的测试键上，降低芯片发生短路失效的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区以及切割道区；在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构，所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
