[发明专利]一种硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201711378376.6 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108269733A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 董刚强;郁操;李沅民;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;苏蕾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅片清洗方法，所述方法包括：对硅片进行初级清洗；采用HF溶液对经过初级清洗的硅片进行清洗；将经过HF溶液清洗后的硅片放入一定温度的纯水中，放置一段时间；以及将硅片从纯水中取出，采用DHF溶液对硅片进行清洗。本申请提供的硅片清洗方法能够明显降低硅片表面的粗糙度，同时还能提升清洗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 硅片清洗 水中 硅片表面 清洗效果 粗糙度 放入 取出 申请 | ||
【主权项】：
1.一种硅片清洗方法，所述方法包括：对硅片进行初级清洗；采用HF溶液对经过初级清洗的硅片进行清洗；将经过HF溶液清洗后的硅片放入一定温度的纯水中，放置一段时间；以及将硅片从纯水中取出，采用DHF溶液对硅片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
