[发明专利]一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法有效

专利信息
申请号: 201711379973.0 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN109307705B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 王锡铭;张俊宝;陈猛 申请(专利权)人: 重庆超硅半导体有限公司
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400714 重庆市北碚区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 这是一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法,本发明测试的主要目的是对单晶硅晶锭生长后头尾料的利用进行指导。本发明首先通过配置溶解液a将样品进行溶解,其中溶解液a中各组分浓度和用量由测定的样品电阻值R和待测样品重量推导得出,然后通过对样品进行溶解,蒸硅以及再溶解的方式单晶硅晶锭生长后头尾料样品中的金属完全的提取出来,其中在溶解的溶解液b的组份浓度与用量通过电阻值R进行精确的计算。本发明方法利用样品电阻值R与金属含量之间的联系来对测试中的各溶解液配置方法和加入量进行精确的设定,从而确保了测试结果的精确,还通过蒸硅的方式排除了可能由Si带来的任何干扰,进一步的保证了实验结果的准确无误。
搜索关键词: 一种 集成电路 单晶硅 棒头 金属 含量 精确 测量方法
【主权项】:
1.一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法,首先测量头尾料的电阻值R,配制溶解液a,采用酸溶法溶解头尾料测量样品,蒸干溶解液赶硅;其次配制提取液b,采用提取液再次溶解金属,最后采用ICPMS进行精确测量。
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