[发明专利]一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711380239.6 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108048870B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 王欣;唐电;刘雪华;周迎朝;张腾;邹翔达;李国荣;王启凡;唐中帜;周杨杰 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B1/04;C25D15/00
代理公司: 35100 福州元创专利商标代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350116 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料及其制备方法。所述的活性材料的嵌入体为钌硅复合氧化物,平均颗粒尺度为12 nm,其中Si∶Si+Ru摩尔比为0.18~0.22∶1。所述的嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料的制备方法,采用复合电镀方法,将镍和钌硅复合氧化物同时沉积,获得嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料。该材料具有优越的析氢活性,制备方法简单,可操作性强,原料易得,成本低。
搜索关键词: 一种 嵌入 复合 氧化物 活性 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料的制备方法,其特征在于:具体制备步骤如下:/n1)镍基材处理:采用工业纯镍,镍网或镍板材;经洗涤去脂,在6 M的硫酸水溶液中刻蚀1小时,去离子水冲洗,干燥;/n2)电镀液配制: 在含有1.2 M 六水合硫酸镍,0.18 M六水合氯化镍,0.45 M 硼酸的电镀液中加入30 g·L
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