[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基底、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、第三III‑V族化合物层以及第四III‑V族化合物层。基底的上方包括第一区域以及第二区域。第一III‑V族化合物层设置于第一区域内，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。第一载子通道形成于第一III‑V族化合物层以及第二III‑V族化合物层之间，第二III‑V族化合物层具有第一厚度。第三III‑V族化合物层设置于第二区域内，第四III‑V族化合物层设置于第三III‑V族化合物层上。第二载子通道形成于第四III‑V族化合物层与第三III‑V族化合物层之间，第四III‑V族化合物层具有小于第一厚度的第二厚度。本发明能够降低生产成本以及电路面积。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基底，其中所述基底的上方包括一第一区域以及一第二区域；一第一III‑V族化合物层，设置于所述第一区域内；一第二III‑V族化合物层，设置于所述第一III‑V族化合物层上，其中一第一载子通道形成于所述第一III‑V族化合物层以及所述第二III‑V族化合物层之间的一界面上，其中所述第二III‑V族化合物层具有一第一厚度；一第三III‑V族化合物层，设置于所述第二区域内；以及一第四III‑V族化合物层，设置于所述第三III‑V族化合物层上，其中一第二载子通道形成于所述第四III‑V族化合物层与所述第三III‑V族化合物层之间的一界面上，其中所述第四III‑V族化合物层具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度。