[发明专利]一种温度补偿的电流产生电路有效

专利信息
申请号: 201711381800.2 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108170198B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 陈丹凤 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王宝筠
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种温度补偿的电流产生电路,第一MOS管与第二MOS管之间的电压,通过运算放大器的负反馈作用加到电阻上;而第一MOS管与第二MOS管之间的电压,也即运算放大器的反相输入端电压,其温度系数与电阻的温度系数相抵,从而能够产生随温度变化小的稳定电流。并且,本发明中的温度补偿的电流产生电路,以MOS管作为基础元件实现上述原理,相比现有技术减小了电路的整体面积。
搜索关键词: 电流产生电路 温度补偿 运算放大器 温度系数 电阻 负反馈作用 端电压 反相输入 基础元件 稳定电流 减小 电路 相抵
【主权项】:
1.一种温度补偿的电流产生电路,其特征在于,包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、电阻及运算放大器;其中:/n所述第一MOS管的源极接收第一电源电压;/n所述第一MOS管的栅极和漏极,与所述第二MOS管的源极和所述运算放大器的反相输入端相连;/n所述第二MOS管的栅极和漏极,与所述电阻的一端相连;/n所述电阻的另一端与所述运算放大器的同相输入端及所述第三MOS管的漏极相连;/n所述第三MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连;/n所述第三MOS管的源极接收第二电源电压;/n所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压通过所述运算放大器的负反馈作用加到所述电阻上,且所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压的温度系数与所述电阻的温度系数相抵;/n所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压的计算公式为:/nVC=V1/2-[nkln(a/b)/2q]T;/n其中,VC为所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压,V1为所述第一电源电压,n是一个和偏置电压相关的修正因子,k是波尔兹曼常数,q是电子的电量,a/b是所述第二MOS管与所述第一MOS管的比值,T是温度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711381800.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top