[发明专利]像素结构及像素结构制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构，包含开关元件以及储存电容。开关元件具有一个漏极电极以及设置于高介电常数介电层上的源极电极，高介电常数介电层的介电常数k等于或大于8。储存电容具有第一电容电极、第二电容电极以及第三电容电极，其中钝化层设置于第二电容电极与第三电容电极之间，且高介电常数介电层亦设置于第一电容电极与第二电容电极之间。像素结构亦具有共用线，共用线连接至第一电容电极、数据线以及栅极线，安排第一电容电极、数据线以及栅极线使得其中两者在低介电常数介电层的跨越区彼此跨越，低介电常数介电层的介电常数k等于或小于5。

主权项

一种像素结构，其特征在于，用于具有一基板的一显示器面板中，该像素结构包含：一开关元件，包含：一栅极电极，设置于该基板上；一第一介电层，设置于该栅极电极上；一半导体层，设置于该第一介电层上；以及一漏极电极与一源极电极，设置于该半导体层上，该第一介电层具有等于或大于8的介电常数；一储存电容，包含一第一电容电极、一第二电容电极、一第三电容电极、一钝化层以及一第二介电层，该钝化层设置于该第二电容电极与该第三电容电极之间，该第二介电层设置于该第一电容电极与该第二电容电极之间，该第二介电层具有等于或大于8的介电常数；一第一信号线，电性连接至该源极电极；一第二信号线，电性连接至该栅极电极；以及一共用线，电性连接至该储存电容，其中该第一信号线、该第二信号线以及该共用线中的两者于一跨越区彼此跨越于一第三介电层上方，该第三介电层具有等于或小于5的介电常数。