[发明专利]基于SiC的多色LED芯片在审
| 申请号： | 201711382298.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107910417A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SiC的多色LED芯片，该芯片包括蓝光芯片结构(10)，嵌入所述蓝光芯片结构(10)内的红光灯芯结构(20)、绿光芯片结构(30)、黄光芯片结构(40)，其中，所述蓝光芯片结构(10)、所述红光灯芯结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)依次相邻；所述红光灯芯结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)的底部均位于所述蓝光芯片结构的缓冲层(101)内。本发明实施例提供一种基于SiC的多色LED芯片，该基于SiC的多色LED芯片结构简单、集成度高、成本低、色温调节灵活、占用面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 多色 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，包括：蓝光芯片结构(10)，嵌入所述蓝光芯片结构(10)内的红光芯片结构(20)、绿光芯片结构(30)、黄光芯片结构(40)，其中，所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)的底部均位于所述蓝光芯片结构(10)的缓冲层(101)内。
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